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APT5022BN	文件：51.04 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV? N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：51.04 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5022BN	文件：371.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.22Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：371.41 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT5022BNR	文件：337.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.22Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：337.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT5022BNG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD	Microchip 微芯科技	Microchip

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