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首頁(yè) >APT5010B2VR>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
APT5010B2VR	文件：61.79 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? Faster Switching 文件：61.79 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2VR	文件：336.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 47A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.1Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：336.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
APT5010B2VR	文件：66.57 Kbytes Page：4 Pages	New T-MAX??Package (Clip-mounted TO-247 Package) 文件：66.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2VRG	文件：66.57 Kbytes Page：4 Pages	New T-MAX??Package (Clip-mounted TO-247 Package) 文件：66.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2VR	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER MOS V 500V 47A 0.100 Ohm	APT 晶科電子	APT
APT5010B2VRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	Microchip 微芯科技	Microchip

技術(shù)參數(shù)

package_carrier：
Tube
package_name：
T-MAX
Breakdown Voltage (min)：
0
Breakdown Voltage (typ)：
0
Breakdown Voltage (max)：
500
Drain Current (dc) (min)：
0
Drain Current (dc) (typ)：
0
Drain Current (dc) (max)：
47

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	APT5010B2VR	APT	24+		8866		詢(xún)價(jià)
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深圳市宏捷佳電子科技有限公司	APT5010B2VRG	APT	25+	T-MAX	12300	獨(dú)立分銷(xiāo)商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢(xún)價(jià)
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更多APT5010B2VR供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:50:00

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