| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT41M80L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 43A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.21Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：328.27 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
APT41M80L | N-Channel MOSFET 文件：265.44 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT41M80L | N-Channel MOSFET 文件：134.04 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT41M80L | MOSFET | Microchip 微芯科技 | Microchip |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
APT41M80L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 800V 43A TO-264
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
POWER MOS 8™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
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N/A |
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