首頁 >APT29F100L>規(guī)格書列表
| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT29F100L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.44Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件:327.88 Kbytes 頁數(shù):2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
APT29F100L | 1000V, 29A, 0.46廓 Max, trr ??70ns N-Channel FREDFET 文件:401.43 Kbytes 頁數(shù):4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT29F100L | N-Channel FREDFET 文件:129.57 Kbytes 頁數(shù):4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT29F100L | FREDFETs | Microchip 微芯科技 | Microchip |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
APT29F100L
- 功能描述:
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP/微芯 |
25+ |
TO-264 |
32360 |
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TO-264 |
120000 |
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MICROSEMI |
25+ |
TO-264 |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-264 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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MICROSEMI |
1439+ |
TO-264 |
32 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
TO-264 |
14100 |
原裝正品 |
詢價 |
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