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APT25GR120B	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7? MOSFET Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT25GR120B	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT25GR120BD15	文件：281.62 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage · High Frequency Switching · Ultra Low Leakage Current APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Industrial Drives · Solar Inverters 文件：281.62 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT25GR120BD15	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7? MOSFET Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT25GR120BSCD10	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7? MOSFET Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT25GR120BD15	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT25GR120BSCD10	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT25GR120B	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT IGBT & Trench IGBT The Ultra Fast NPT - IGBT? family of products is the newest generation of planar IGBTs optimized for outstanding ruggedness and the best trade-off between conduction and switching losses.??ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT25GR120B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 75A 521W TO247	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
APT25GR120BD15	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT IGBT & Trench IGBT ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
APT25GR120B
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，25A
開關(guān)能量：
742μJ（開），427μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
16ns/122ns
測試條件：
600V，25A，4.3 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
描述：
IGBT 1200V 75A 521W TO247

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
君宇國際實(shí)業(yè)有限公司	APT25GR120B	MICROSEMI			638	原裝正品	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	APT25GR120B	Microsemi	1942+	N/A	586	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	APT25GR120B	MICROSEMI	25+	TO-247	326	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	APT25GR120B	Microsemi Corporation	22+	TO247	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	APT25GR120B	MICROCHIP	23+		7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	APT25GR120B		24+	N/A	56000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	APT25GR120S	MICROSEMI/美高森美	23+	TO-268-3D3Pak2TO-268	8000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價(jià)

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