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APT22F120B2中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
APT22F120B2規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current –ID= 23A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 1200V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.7Ω(Max)@VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
APT22F120B2
- 功能描述：
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
POWER MOS 8™
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
2026+ |
TO-264 |
97 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價 | ||
APTMICROSEMI |
1051+ |
TO-247 |
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
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APTMICROSEMI |
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TO-247 |
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