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APT11N80BC3	文件：338.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：338.4 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT11N80BC3	文件：162.57 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET 文件：162.57 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ADPOW	ADPOW
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APT11N80BC3G	文件：420.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：420.73 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
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