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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
APT1003RBLLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Microchip 微芯科技	Microchip
APT1003RKFLL	文件：96.12 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 FREDFET 文件：96.12 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT1003RKLL	文件：95.2 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 MOSFET 文件：95.2 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT1003RKLL	文件：332.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：332.88 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
APT1003RBLLG
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
POWER MOS 7®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
君宇國(guó)際實(shí)業(yè)有限公司	APT1003RBLLG	MICROSEMI			638	原裝正品	詢價(jià)
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更多APT1003RBLLG供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 15:01:00

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