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首頁 >APT10035B2FLLG>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
APT10035B2FLLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	FREDFETs	Microchip 微芯科技	Microchip
APT10035B2LL	文件：93.9 Kbytes Page：5 Pages	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. 文件：93.9 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT10035B2LL	文件：69.95 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally 文件：69.95 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT10035B2FLL	文件：86.24 Kbytes Page：5 Pages	Power MOS 7is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel 文件：86.24 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT10035B2FLL	文件：372.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.37Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：372.97 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT10035B2FLL	文件：63.89 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. 1000V 28A 0.350? Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along w 文件：63.89 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW

詳細(xì)參數(shù)

型號：
APT10035B2FLLG
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
POWER MOS 7®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	APT10035B2FLLG	RENESAS/瑞薩	23+	TO-220	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	APT10035B2FLLG	Microsemi Corporation	22+	TO2473 Variant	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	APT10035B2FLLG		24+	N/A	52000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
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