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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
APT1001RBVR	文件：68.19 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? Faster Switching 文件：68.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT1001RBVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT1001RDN	文件：326.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1Ω(Max) @ VGS= 10V ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：326.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
APT1001RSLC	文件：35.76 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs Power MOS VI? is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, delivers exceptionally 文件：35.76 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT1001RSVFR	文件：123.99 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V FREDFET Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? Avalanche Ener 文件：123.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
APT1001RBVR
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247
RoHS：
是
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
POWER MOS V®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	APT1001RBVR	APT	24+		8866		詢(xún)價(jià)
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	APT1001RBVR	APT	22+	原廠原封	8200	原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!!	詢(xún)價(jià)
深圳市納立科技有限公司	APT1001RBVR	MICROSEMI	三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	APT1001RBVR	APT	23+	TO-247	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
深圳市勝彬電子有限公司	APT1001RBVR	APT	22+	TO-247	8000	原裝正品支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	APT1001RBVR	APT	25+	TO-247	19	原裝正品,歡迎來(lái)電咨詢(xún)!	詢(xún)價(jià)
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