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N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ? 20V/12A, RDS(ON)=55m?(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=75m?(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=140m?(typ.) @ VGS=2.5V ? Super High Dense Cell Design ? High Power and Current Handling Capability ? TO-252 and SOT-223 Packages Applications ? Switching R 文件：149.5 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | ANPEC 茂達(dá)電子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features · 20V/10A , RDS(ON)=55mW (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=75mW (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=140mW (typ.) @ VGS=2.5V · Super High Dense Cell Design · Reliable and Rugged · Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications · Power Management in 文件：187.09 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | ANPEC 茂達(dá)電子 | ANPEC | ||
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
ISL60002BIH311Z-TK
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 電壓基準(zhǔn)
- 系列：
FGA?
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 參考類型：
系列
- 輸出類型：
固定
- 電壓 - 輸出（最小值/固定）：
1.2V
- 容差：
±0.08%
- 溫度系數(shù)：
20ppm/°C
- 噪聲 - 0.1Hz 至 10Hz：
30μVp-p
- 電壓 - 輸入：
2.7V ~ 5.5V
- 電流 - 供電：
900nA
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3
- 描述：
IC VREF SERIES 0.08% SOT23-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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