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AUIRFR540Z	文件：1.75429 Mbytes Page：5 Pages	絲?。?strong>AP50N10D；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 100V ID =50A RDS(ON) 文件：1.75429 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	LEIDITECH 雷卯電子	LEIDITECH

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