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AP18P10GI	文件：307.88 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= -12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 160mΩ(Max) @ VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed 文件：307.88 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AP18P10GI	文件：159.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：159.15 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	A-POWER 富鼎先進電子	A-POWER
AP18P10GI_14	文件：104.71 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：104.71 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	A-POWER 富鼎先進電子	A-POWER
AP18P10GJ-HF	文件：74.54 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：74.54 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	A-POWER 富鼎先進電子	A-POWER
AP18P10GK-HF	文件：92.67 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：92.67 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	A-POWER 富鼎先進電子	A-POWER
AP18P10GS	文件：134.79 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：134.79 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	A-POWER 富鼎先進電子	A-POWER

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更多AP18P10GI供應(yīng)商更新時間2026-1-23 11:10:00