| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
AOWF20S60 | 600V 20A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW20S60 & AOWF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：284.58 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | AOSMD 萬國半導體 | AOSMD | |
AOWF20S60 | 高壓MOSFET (500V - 1000V) 600V 20A αMOS? Power Transistor | AOS 美國萬代 | AOS | |
20A High Power Schottky Barrier Rectifier 文件：502.83 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | CITC 竹懋科技 | CITC | ||
20A Surface Mount Trench Schottky Rectifier 文件：651.14 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | CITC 竹懋科技 | CITC | ||
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：468.67 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | CITC 竹懋科技 | CITC |
技術參數(shù)
- Package：
TO262F
- Configuration：
Single
- Polarity：
N
- VDS (V)：
600
- VGS (±V)：
30
- ID @ 25°C (A)：
20
- PD @ 25°C (W)：
28
- 10V：
199
- Qg (10V)(nC)：
19.80
- VGS(th) max (V)：
4.10
- Ciss (pF)：
1038
- Coss (pF)：
68
- Crss (pF)：
2.10
- Qgd (nC)：
7.60
- tD(on) (ns)：
27.50
- tD(off) (ns)：
87.50
- Trr (ns)：
350
- Qrr (nC)：
5700
- Qualification：
Industrial
- ESD Diode：
No
- Tj max (°C)：
150
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/萬代 |
24+ |
TO-262F |
333888 |
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詢價 | ||
AOS/萬代 |
23+ |
TO-262F |
26800 |
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AOS/萬代 |
23+ |
TO-262F |
24190 |
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AOS/萬代 |
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TO-262F |
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AOS |
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AOS/萬代 |
23+ |
TO262F |
50000 |
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AOS |
22+ |
NA |
6878 |
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Alpha & Omega Semiconductor In |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
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AOS |
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TO-220 |
86720 |
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AOS |
13+ |
TO-262F |
132 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
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