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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AOWF11S65	文件：265.54 Kbytes Page：6 Pages	650V 11A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW11S65 & AOWF11S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：265.54 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOWF11S65	文件：300 bytes Page：1 Pages	高壓MOSFET (500V - 1000V) 650V 11A αMOS? Power Transistor	AOS 美國萬代	AOS
T11S65	文件：1.0349 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.0349 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
AOB11S65	文件：297.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ? Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES ? Drain Current –ID=11A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS=650V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.399Ω (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-L 文件：297.62 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AOB11S65	文件：1.0389 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Reduced trr, Qrr, and IRRM ? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg ? Low input capacitance (Ciss) ? Low switching losses due to reduced Qrr ? Ultra low gate charge (Qg) ? Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS ? Telecommunications - Server and telecom power supplies ? Light 文件：1.0389 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
AOB11S65	文件：305.46 Kbytes Page：7 Pages	650V 11A a MOS Power Transistor General Description The AOT11S65 & AOB11S65 & AOTF11S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanch 文件：305.46 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD

技術(shù)參數(shù)

Package：
TO262F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
650
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
28
10V：
399
Qg (10V)(nC)：
13.20
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
646
Coss (pF)：
42
Crss (pF)：
1.10
Qgd (nC)：
4.30
tD(on) (ns)：
25
tD(off) (ns)：
77
Trr (ns)：
278
Qrr (nC)：
4200
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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