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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AOW7S60	文件：276.86 Kbytes Page：6 Pages	600V 7A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW7S60 & AOWF7S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability the 文件：276.86 Kbytes 頁數：6 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOW7S60	文件：344.59 Kbytes Page：2 Pages	絲印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ? Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES ? Drain Current –ID=7A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot 文件：344.59 Kbytes 頁數：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AOW7S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高壓MOSFET (500V - 1000V) 600V 7A αMOS? Power Transistor	AOS 美國萬代	AOS
AOWF7S60	文件：276.86 Kbytes Page：6 Pages	600V 7A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW7S60 & AOWF7S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability the 文件：276.86 Kbytes 頁數：6 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD

技術參數

Package：
TO262
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
7
PD @ 25°C (W)：
104
10V：
600
Qg (10V)(nC)：
8.20
VGS(th) max (V)：
3.90
Ciss (pF)：
372
Coss (pF)：
28
Crss (pF)：
1.20
Qgd (nC)：
2.80
tD(on) (ns)：
19
tD(off) (ns)：
50
Trr (ns)：
198
Qrr (nC)：
2400
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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