| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
AON2290 | 100V N-Channel MOSFET General Description The AON2290 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 100V ID (at VGS=1 文件：227.61 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | AOSMD 萬國半導體 | AOSMD | |
AON2290 | 中壓MOSFET (40V - 400V) 100V N-Channel MOSFET | AOS 美國萬代 | AOS | |
PLL Synthesizer Module 文件：230.62 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ASB | ASB | ||
10-18GHz Low Noise, Variable Gain Amplifier Description The CHA2290 is a high gain four-stage monolithic low noise amplifier with variable gain. It is designed for a wide range of applications, from military to commercial communication systems. The backside of the chip is both RF and DC grounded. This helps to simplify the assembly process 文件：128.84 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | UMS | UMS | ||
Surface Mount Zener Diodes 文件：66.93 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | COMCHIP 典琦 | COMCHIP |
技術(shù)參數(shù)
- Package：
DFN2x2-6L
- Configuration：
Single
- Polarity：
N
- VDS (V)：
100
- VGS (±V)：
20
- 10V：
72
- 4.5V：
97
- ID @ 25°C (A)：
4.50
- PD @ 25°C (W)：
2.80
- Qg (10V)(nC)：
6.50
- Qg (4.5V)(nC)：
3
- VGS(th) max (V)：
2.80
- Ciss (pF)：
415
- Coss (pF)：
32
- Crss (pF)：
3
- Qgd (nC)：
1.50
- tD(on) (ns)：
4
- tD(off) (ns)：
15
- Trr (ns)：
16
- Qrr (nC)：
44
- Qualification：
Industrial
- ESD Diode：
No
- Tj max (°C)：
150
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/萬代 |
25+ |
DFN |
32000 |
AOS/萬代全新特價AON2290即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
AOS |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2x2B |
3000 |
國產(chǎn)南科平替供應大量 |
詢價 | ||
ALPHA |
23+ |
DFN |
8650 |
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詢價 | ||
AOS/萬代 |
2447 |
DFN |
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AOS |
25+ |
DFN-6 |
3675 |
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AOS(萬代) |
23+ |
NA |
20094 |
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DFN |
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AOS |
22+ |
NA |
9984 |
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Alpha & Omega Semiconductor In |
22+ |
6UDFN |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
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