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首頁 >AOD454A>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AOD454A	文件：215.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD454A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. -RoHS Compliant -Halogen Free* 文件：215.38 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOD454A	文件：309.24 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ? Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES ? Drain Current –ID= 12A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS=40V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =30mΩ (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot 文件：309.24 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AOD454A	文件：1.00147 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 4 0-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS ? OR-ing ? Server ? DC/DC 文件：1.00147 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
AOD454A	文件：762.17 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=40V,ID=30A,RDS(ON) 文件：762.17 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOD454A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中壓MOSFET (40V - 400V) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美國萬代	AOS

技術參數(shù)

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
40
VGS (±V)：
20
10V：
30
4.5V：
40
ID @ 25°C (A)：
20
PD @ 25°C (W)：
37
Qg (4.5V)(nC)：
8.30
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
516
Coss (pF)：
82
Crss (pF)：
43
Qgd (nC)：
1.60
tD(on) (ns)：
6.40
tD(off) (ns)：
16.20
Trr (ns)：
18
Qrr (nC)：
10
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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