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首頁(yè) >AOD444>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AOD444	文件：534.69 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>AOD444；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Product Summary VDS 60V ID (at VGS=10V) 12A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：534.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
AOD444	文件：553.17 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD444 combine advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). Those devices are suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Product Summary VDS 60V ID (at VGS=10V) 12A RDS(ON) (at VGS 文件：553.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
AOD444	文件：254.37 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD444 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. AOD444L (Green Product) is offered in a lead-free package. Features VDS (V) = 文件：254.37 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	AOSMD 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOD444	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ? Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES ? Drain Current –ID= 12A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 60mΩ (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lo 文件：309.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
AOD444	文件：1.77127 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 12 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.77127 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AOD444	文件：1.00194 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Material categorization: For definitions of compliance please see APPLICATIONS ? DC/DC Converters ? DC/AC Inverters ? Motor Drives 文件：1.00194 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
AOD444	文件：2.5065 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=60V,ID=20A,RDS(ON) 文件：2.5065 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOD444	文件：125.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：125.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
AOD444	文件：300 bytes Page：1 Pages	中壓MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel MOSFET	AOS 美國(guó)萬(wàn)代	AOS
AOD444L	文件：125.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：125.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

技術(shù)參數(shù)

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
20
10V：
60
4.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
20
Qg (10V)(nC)：
7.50
Qg (4.5V)(nC)：
3.80
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
450
Coss (pF)：
61
Crss (pF)：
27
Qgd (nC)：
1.90
tD(on) (ns)：
4.20
tD(off) (ns)：
16
Trr (ns)：
27
Qrr (nC)：
30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市譽(yù)誠(chéng)盛世科技有限公司	AOD444	AOS	17+	TO252	100000	原裝現(xiàn)貨本公司只賣原裝貨	詢價(jià)
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	AOD444	AOS/萬(wàn)代	25+	TO-252	32205	AOS/萬(wàn)代全新特價(jià)AOD444即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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更多AOD444供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 10:01:00

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