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AOD3C60	文件：342.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：342.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AOD3C60	文件：261.709 Kbytes Page：6 Pages	600V,3A N-Channel MOSFET 文件：261.709 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOD3C60	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V,3A N-Channel MOSFET	AOS 美國萬代	AOS
DXTN3C60PS	文件：528.57 Kbytes Page：8 Pages	NPN LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：528.57 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	DIODES 美臺半導(dǎo)體	DIODES
DXTP3C60PS	文件：659.78 Kbytes Page：7 Pages	PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：659.78 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	DIODES 美臺半導(dǎo)體	DIODES
TMG3C60C	文件：476.85 Kbytes Page：3 Pages	TRIAC(Through Hole/Non-isolated) 文件：476.85 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SANREX 三社	SANREX

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