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AOD2C60	文件：341.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 2.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：341.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AOD2C60	文件：254.15 Kbytes Page：6 Pages	600V,2A N-Channel MOSFET 文件：254.15 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOD2C60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 600V 2A	AOS 美國萬代	AOS
HCN2C60	文件：179.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Controlled Rectifier 文件：179.68 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
HCR2C60	文件：177.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Controlled Rectifier 文件：177.96 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
SCN2C60	文件：543.84 Kbytes Page：5 Pages	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers 文件：543.84 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

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