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AO4613	文件：181.65 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4613 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. It is ESD protected. Standard product AO4613 is Pb-free (m 文件：181.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO4613	文件：2.2004 Mbytes Page：7 Pages	絲印：4613；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 7.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：2.2004 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AO4613	文件：219.97 Kbytes Page：7 Pages	30V Dual P N-Channel MOSFET 文件：219.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO4613	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Complementary AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美國(guó)萬(wàn)代	AOS
AO4613-HF	文件：3.11686 Mbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4613/marking.html">4613；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 7.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：3.11686 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AO4613L	文件：181.65 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4613 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. It is ESD protected. Standard product AO4613 is Pb-free (m 文件：181.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO4613_10	文件：219.97 Kbytes Page：7 Pages	30V Dual P N-Channel MOSFET 文件：219.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AO4613
功能描述：
MOSFET N/P-CH 30V 7.2/6.1A 8SOIC
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
-
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市得捷芯城科技有限公司	AO4613	AOS(萬(wàn)代)	25+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	6913	我們只是原廠的搬運(yùn)工	詢價(jià)
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更多AO4613供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 17:00:00

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