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首頁 >AO3413>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AO3413	文件：222.36 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V ID = -3 A RDS(ON) 文件：222.36 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	AOSMD 萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO3413	文件：2.15868 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3 A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON) 文件：2.15868 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AO3413	文件：958.67 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V ID = -3 A RDS(ON) 文件：958.67 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3413	文件：462.36 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：462.36 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	AOSMD 萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO3413	文件：300 bytes Page：1 Pages	P溝道MOSFET (8V - 60V) 20V P-Channel MOSFET	AOS 美國(guó)萬代	AOS
AO3413	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Ch MOSFET	JGSEMI 金鋯半導(dǎo)體	JGSEMI
AO3413A	文件：504.35 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/adrv/marking.html">ADRV；Package：SOT-23；20V P-Channel MOSFET Features VDS= -20V ID = -3A (VGS = -4.5V) RDS(ON) 文件：504.35 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
AO3413A	文件：597.19 Kbytes Page：6 Pages	絲印：ADRV；Package：SOT-23；20V P-Channel MOSFET Features VDS= -20V ID= -3A (VGS = -4.5V) RDS(ON) 文件：597.19 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
AO3413-HF	文件：2.32577 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3 A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON) 文件：2.32577 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AO3413L	文件：222.36 Kbytes Page：6 Pages	絲印：AD**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V ID = -3 A RDS(ON) 文件：222.36 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	AOSMD 萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD

技術(shù)參數(shù)

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
4.5V：
80
2.5V：
100
1.8V：
130
ID @ 25°C (A)：
-3
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
8.50
VGS(th) max (V)：
-1
Ciss (pF)：
560
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
2.10
tD(on) (ns)：
7.20
tD(off) (ns)：
53
Trr (ns)：
37
Qrr (nC)：
27
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市泓利達(dá)微科技有限公司	AO3413	AOS美國(guó)萬代	24+	SOT23-3	888000	萬代代理商優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 AOS全系列場(chǎng)效應(yīng)管	詢價(jià)
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更多AO3413供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 10:03:00

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