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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
AGR21030EF | 30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET 文件：371.51 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | TRIQUINT | TRIQUINT | |
AGR21030EF | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 2.11-2.17GHz 7Watt Gain 14.5dB | ASI Semiconductor | ASI Semiconductor | |
AGR21030EF | 30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET | Qorvo 威訊聯(lián)合 | Qorvo | |
RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology DESCRIPTION The LET21030C is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2.1 GHz. The LET21030C is designed for high gain and broadband performance operating in common source 文件：62.62 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導體 | STMICROELECTRONICS | ||
Low Loss CWDM 文件：351.5 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | OPLINK | OPLINK | ||
Low Loss CWDM 文件：351.5 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | OPLINK | OPLINK |
詳細參數(shù)
- 型號：
AGR21030EF
- 功能描述：
射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
Freescale Semiconductor
- 配置：
Single
- 頻率：
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益：
27 dB
- 輸出功率：
100 W
- 封裝/箱體：
NI-780-4
- 封裝：
Tray
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AGERE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價 | ||
TRIQUINT |
24+ |
200 |
現(xiàn)貨供應 |
詢價 | |||
TRIQUINT |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
TRIQUINT |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
AGERE |
23+ |
SMD |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TRIQUINT |
2026+ |
SMD |
17 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價 | ||
ASI |
1115+ |
142 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | |||
TRIQUINT |
24+ |
TR-LDMOS |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
AGERE |
23+ |
5000 |
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | |||
AGERE |
03+ |
10 |
詢價 |
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