High Power, 20 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.7 GHz to 5.0 GHz

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高功率、20 W 峰值、硅 SPDT、反射開(kāi)關(guān)、0.7 GHz 到 5.0 GHz

ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅單刀雙擲 (SPDT) 反射開(kāi)關(guān)，采用無(wú)鉛的表面貼裝式封裝。此開(kāi)關(guān)適用于高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如長(zhǎng)期演進(jìn) (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率處理能力（105°C 時(shí)的平均典型值）、2.7 GHz 時(shí) 0.6 dB 的低插入損耗、65 dBm 的輸入三階截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 壓紋 (P0.1dB)。\n\n 片內(nèi)電路使用 5 V 的單一正電源工作，典型電源電流為 1.1 mA，使得 ADRF5132 成為基于 Pin 二極管的開(kāi)關(guān)的理想替 ? 反射式 50 ? 設(shè)計(jì)\n\n? 低插入損耗：2.7 GHz 時(shí)為 0.6 dB（典型值）\n\n? TCASE = 105°C 時(shí)具有高功率處理能力\n? 持久（>10 年運(yùn)行）\n? 峰值功率：43 dBm\n\n? 連續(xù)波功率：38 dBm\n\n? 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm\n\n\n\n\n\n\n\n? 單一事件（<10 秒運(yùn)行）\n? 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm;

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Package：16-WFQFN 裸露焊盤(pán)，CSP；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻開(kāi)關(guān) 描述：IC RF SWITCH SPDT 16LFCSP-WQ

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Package：16-WFQFN 裸露焊盤(pán)，CSP；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻開(kāi)關(guān) 描述：IC RF SWITCH SPDT 16LFCSP-WQ

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包裝：散裝 類(lèi)別：開(kāi)發(fā)板，套件，編程器 射頻評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件，開(kāi)發(fā)板 描述：EVAL BOARD FOR ADRF5132

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