超緊湊精密 3.0 V 基準電壓源

?ADR01、?ADR02、?ADR03 和?ADR06?分別是具有高精度、高穩(wěn)定性和低功耗的精密 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 帶隙基準電壓源。這些套件密封在微型 5 引腳 SC70 和 TSOT 封裝中，另外提供 8 引腳 SOIC 版本。ADR01、ADR02 和 ADR03 的 SOIC 版本是行業(yè)標準 REF01、REF02 和 REF03 的簡易替換器件1?。小尺寸和寬工作范圍使得 ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 基準電壓源適用于通用和空間受限應用。\n\n 在配備外部緩沖器和簡單電阻器網(wǎng)絡的情況下，可以使用 TEMP 引腳來進 ? 超緊湊 SC70 和 TSOT 封裝\n\n? 低溫度系數(shù)\n\n? 8 引腳 SOIC：3 ppm/°C（典型值）\n\n? 5 引腳 SC70：9 ppm/°C（最大值）\n\n? 5 引腳 TSOT：9 ppm/°C（最大值）\n\n\n\n\n? 初始精度 ±0.1%\n\n? 無需外部電容器\n\n? 低噪聲 10 μV p-p，0.1 Hz 至 10.0 Hz (ADR02);

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SiC MOSFET

SIC MOSFET ,安海半導體推出基于世界領先的車規(guī)級平面高密度工藝與溝槽工藝的第三代寬禁帶功率半導體碳化硅SIC MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品性能：高頻率、高功率、高效率、低導通電阻優(yōu)點。具有電流密度高、開關速度快、浪涌和短路能力強等優(yōu)點，電壓覆蓋1200V、1700V、1900V,典型應用領域為新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、儲能電源、風力發(fā)電、軌道交通等。在應用上更能滿足充電樁高效率和高功率密度的性能要求。

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安海半導體

DIP Power Inductors

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今展

Package：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 電壓基準 描述：IC VREF SERIES 0.2% SC70-5

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 電壓基準 描述：IC VREF SERIES 0.2% 8SOIC

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