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ACE9926B	文件：735.63 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description The ACE9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 2.5V to 12V. The two devices may be used individually, in parallel or to form a bidirectional blocking switch. Features ? VDS 文件：735.63 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ACE	ACE
ACE9926BFM+H	文件：1.28744 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.28744 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
ACE9926BFM-H	文件：1.28744 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.28744 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
ACE9926B	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ACE ele	ACE ele

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更多ACE9926B供應(yīng)商更新時間2026-1-22 20:02:00