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ACE9435B	文件：521.64 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description This P-Channel enhancement mode power FETs are produced with high cell density, DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device is particularly suited for low voltage application such as portable equipment, power management and other bat 文件：521.64 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ACE	ACE
ACE9435BFM+H	文件：1.30077 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.30077 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
ACE9435BFM-H	文件：1.30077 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.30077 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
ACE9435B	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ACE ele	ACE ele

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多ACE9435B供應(yīng)商更新時間2026-1-20 14:01:00