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ACE18205S	文件：186.46 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description The ACE18205S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. It is ESD protected. ACE18205S is electrically ide 文件：186.46 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ACE	ACE
ACE18205S	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ACE ele	ACE ele
T-18205	文件：21.87 Kbytes Page：1 Pages	10/100 BASE-T SINGLE PORT SURFACE MOUNT MAGNETICS 文件：21.87 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	RHOMBUS-IND	RHOMBUS-IND
18205	文件：92.52 Kbytes Page：1 Pages	Input module 文件：92.52 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 費(fèi)斯托費(fèi)斯托（中國）有限公司	FESTO

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	ACE18205S	NK/南科功率	2025+	SOT-23-6	986966	國產(chǎn)	詢價(jià)
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深圳市易訊博科技有限公司	ACE184RUW12-Z01A	GE	22+	NA	55	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	ACE1V2012-102-R		24+	N/A	58000	一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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