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    IR2103

    HALF-BRIDGE DRIVER

    Description The IR2103(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS

    文件:119.08 Kbytes 頁數(shù):12 Pages

    IRF

    IR2103

    600 V 半橋柵極驅(qū)動器 IC,具有擊穿保護

    600 V 半橋驅(qū)動器 IC,具有典型的 0.21 A 拉電流和 0.36 A 灌電流,采用 8 引腳 PDIP 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引腳 SOIC 封裝可選。 ? 專為自舉操作設(shè)計的浮動通道\n? 完全運行時的電壓高達 +600 V\n? 容許負瞬態(tài)電壓高\n? 不受 dV/dt 影響\n? 柵極驅(qū)動電源范圍:10 至 20V\n? 欠壓鎖定\n? 3.3V、5V 和 15V 邏輯輸入兼容\n? 防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)邏輯\n? 雙通道的匹配傳播延遲\n? 內(nèi)置死區(qū)時間\n? 高邊輸出與 HIN 輸入同相\n? 低邊輸出與 LIN 輸入不同相\n\n優(yōu)勢:;

    Infineon

    英飛凌

    IR2103

    Package:8-DIP(0.300",7.62mm);包裝:散裝 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

    INFINEON

    英飛凌

    IR2103S

    HALF-BRIDGE DRIVER

    Description The IR2103(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS

    文件:119.08 Kbytes 頁數(shù):12 Pages

    IRF

    IR2103_13

    Half-Bridge Driver

    文件:1.10295 Mbytes 頁數(shù):18 Pages

    IRF

    IR2103PBF

    Half-Bridge Driver

    文件:1.10762 Mbytes 頁數(shù):18 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    IR2103PBF

    Half-Bridge Driver

    文件:1.10295 Mbytes 頁數(shù):18 Pages

    IRF

    IR2103PBF

    Half-Bridge Driver

    文件:1.10295 Mbytes 頁數(shù):18 Pages

    IRF

    IR2103PBF_15

    Half-Bridge Driver

    文件:1.10295 Mbytes 頁數(shù):18 Pages

    IRF

    IR2103SPBF

    Half-Bridge Driver

    文件:1.10295 Mbytes 頁數(shù):18 Pages

    IRF

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      IR2103

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類別:

      集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

    • 包裝:

      散裝

    • 驅(qū)動配置:

      半橋

    • 通道類型:

      獨立式

    • 柵極類型:

      IGBT,N 溝道 MOSFET

    • 電壓 - 供電:

      10V ~ 20V

    • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

      0.8V,3V

    • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

      210mA,360mA

    • 輸入類型:

      反相,非反相

    • 上升/下降時間(典型值):

      100ns,50ns

    • 工作溫度:

      -40°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      8-DIP(0.300",7.62mm)

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      8-PDIP

    • 描述:

      IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多IR2103供應(yīng)商 更新時間2026-1-20 17:47:00

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