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STH90N55F4-2	文件：768.43 Kbytes Page：16 Pages	絲印：90N55F4；Package：H2PAK；N-channel 55 V, 0.0064 Ω, 90 A, H2PAK STripFET? DeepGATE? Power MOSFET Features ■ Exceptional dv/dt capability ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ 100 avalanche tested Applications ■ Switching applications Description The device is N-channel Power MOSFETs developed using ST’s STripFET? DeepGATE? technology. The device has a new gate structure and is 文件：768.43 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
90N55F4	文件：1.28926 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES ? 175 °C Junction Temperature ? TrenchFET? Power MOSFET ? Material categorization: 文件：1.28926 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

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更多90N55F4供應(yīng)商更新時間2026-1-19 14:03:00