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7N65B	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7A mps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE ● 7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω @VGS=10V/3.5A ● Low gate charge ● Low Ciss ● Fast switching ● 100 avalanche tested ● Improved dv/dt capability 文件：194.24 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CHONGQING 平偉實業(yè)	CHONGQING
7N65B	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET	RZC 瑞之辰	RZC
7N65C	文件：886.6 Kbytes Page：10 Pages	650V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：886.6 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
7N65D	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET Features ● RDS(ON) 文件：2.85034 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
7N65F	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET Features ● RDS(ON) 文件：2.85034 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE

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更多7N65B供應(yīng)商更新時間2026-1-20 14:02:00