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    首頁>BLV21>規(guī)格書詳情

    BLV21中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

    PDF無圖
    廠商型號

    BLV21

    功能描述

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

    文件大小

    50.97 Kbytes

    頁面數(shù)量

    1

    生產(chǎn)廠商

    NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

    中文名稱

    新澤西半導體 新澤西半導體公司

    網(wǎng)址

    網(wǎng)址

    數(shù)據(jù)手冊

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    更新時間

    2026-1-20 17:50:00

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    晶體管資料

    • 型號:

      BLV21

    • 別名:

      BLV21三極管、BLV21晶體管、BLV21晶體三極管

    • 生產(chǎn)廠家:

    • 制作材料:

      Si-NPN

    • 性質(zhì):

      甚高頻 (VHF)_功率放大 (L)

    • 封裝形式:

      貼片封裝

    • 極限工作電壓:

      65V

    • 最大電流允許值:

      1.75A

    • 最大工作頻率:

      175MHZ

    • 引腳數(shù):

      4

    • 可代換的型號:

    • 最大耗散功率:

      15W

    • 放大倍數(shù):

    • 圖片代號:

      G-266

    • vtest:

      65

    • htest:

      175000000

    • atest:

      1.75

    • wtest:

      15

    BLV21規(guī)格書詳情

    DESCRIPTION:

    The ASI BLV21 is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz.

    FEATURES:

    ? Common Emitter

    ? PG = 10 dB at 15 W/175 MHz

    ? Omnigold? Metalization System

    產(chǎn)品屬性

    • 型號:

      BLV21

    • 功能描述:

      射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

    • RoHS:

    • 制造商:

      M/A-COM Technology Solutions

    • 配置:

      Single 直流集電極/Base Gain hfe

    • Min:

      40

    • 最大工作頻率:

      30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

    • VCEO:

      25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

    • VEBO:

      4 V

    • 集電極連續(xù)電流:

      20 A

    • 功率耗散:

      250 W

    • 封裝/箱體:

      Case 211-11

    • 封裝:

      Tray

    供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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