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GANB4R8-040CBA	文件：1.25278 Mbytes Page：13 Pages	絲?。?strong>4R8ACBA；Package：WLCSP22_SOT8086；40 V, 4.8 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.1 mm x 2.1 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) 1. General description The GANB4R8-040CBA is a 40 V, 4.8 mΩ bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron- Mobility-Transistor (HEMT) in a Wafer Level Chip-Scale (WLCSP) package. It is a normally-off emode device offering superior performance. 2. Features and benefits ? Enhancement mod 文件：1.25278 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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