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4924W	文件：1.00461 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.00461 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
AM4924N	文件：1.46538 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.46538 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AM4924N	文件：165.54 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：165.54 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ANALOGPOWER	ANALOGPOWER
AO4924	文件：162.23 Kbytes Page：8 Pages	Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4924 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A monolithically integrated Schottky diode in parallel with the 文件：162.23 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD

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更多4924W供應(yīng)商更新時間2026-1-22 9:01:00