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首頁 >絲印反查>40N120FL

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
NGTB40N120FLWG	文件：194.63 Kbytes Page：11 Pages	絲?。?strong>40N120FL；Package：TO-247；IGBT Features ? Low Saturation Voltage using NPT Trench with Field Stop Technology ? Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation ? 10 s Short Circuit Capability ? Low Gate Charge ? Soft, Fast Free Wheeling Diode ? These are Pb?Free Devices Typical Applications ? Solar Inverter ? UPS 文件：194.63 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NGTB40N120FL2WG	文件：288.15 Kbytes Page：11 Pages	絲印：40N120FL2；Package：TO-247；IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar 文件：288.15 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NGTB40N120FL3WG	文件：316.44 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/40n120fl3/marking.html">40N120FL3；Package：TO-247；IGBT - Ultra Field Stop This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on?state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and sol 文件：316.44 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
40N120FL	文件：194.63 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Features ? Low Saturation Voltage using NPT Trench with Field Stop Technology ? Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation ? 10 s Short Circuit Capability ? Low Gate Charge ? Soft, Fast Free Wheeling Diode ? These are Pb?Free Devices Typical Applications ? Solar Inverter ? UPS 文件：194.63 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
40N120FL2	文件：151.57 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop II 文件：151.57 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
40N120FL
功能描述：
IGBT 晶體管 1200V/40A IGBT SOLAR/UPS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NGTB40N120FLWG	ON(安森美)	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	7348	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	NGTB40N120FLWG	ONSEMI/安森美	25+	TO-247	32360	ONSEMI/安森美全新特價(jià)NGTB40N120FLWG即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	NGTB40N120FLWG	ONSemiconductor	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	NGTB40N120FLWG	ON/安森美	2447	TO247	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	NGTB40N120FLWG	ON(安森美)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	NGTB40N120FLWG	ON/安森美	23+	TO3P	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NGTB40N120FLWG	ON/安森美	25+	TO-247	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NGTB40N120FLWG	ON Semiconductor	22+	TO247	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	NGTB40N120FLWG	ON	1216+	TO-247	60	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	NGTB40N120FLWG	ON	23+	TO-247	60	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)

更多40N120FL供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 23:00:00

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