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GAN3R2-100CBE	文件：299.31 Kbytes Page：13 Pages	絲?。?strong>3R2DCBE；Package：WLCSP8-SOT8072；100 V, 3.2 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) 1. General description The GAN3R2-100CBE is a a general purpose 100 V, 3.2 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a 15 bump Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP). It is a normally-off e-mode device offering superior performance. 2. Features and benefits ? Enhancement mode - normally-off power switc 文件：299.31 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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