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FAE35SN06	文件：1.3339 Mbytes Page：5 Pages	絲?。?strong>35SN06；Package：DFNWB3X3-8L；Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION DS(ON) The FAE35SN06 uses SGT technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES ? High density cell design for ultra low RDS(ON) ? Fully characterized avalanche voltage and current ? Good stability and 文件：1.3339 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	GWSEMI 唯圣電子	GWSEMI

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更多35SN06供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 10:51:00