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    2SK4116LS

    N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

    General-Purpose Switching Device Applications Features ? Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. ? Adoption of high reliability HVP process. ? Attachment workability is good by Mica-less package. ? Avalanche resistance guarantee.

    文件:56.42 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    SANYO

    三洋

    2SK4116LS

    General-Purpose Switching Device Applications

    文件:95.32 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    SANYO

    三洋

    2SK4116LS

    isc N-Channel MOSFET Transistor

    文件:324.35 Kbytes 頁(yè)數(shù):2 Pages

    ISC

    無(wú)錫固電

    2SK4116LS_0710

    General-Purpose Switching Device Applications

    文件:95.32 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    SANYO

    三洋

    2SK4116LS

    Power MOSFET 400V 12A 540mOhm Single N-Channel TO-220FI(LS)

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    詳細(xì)參數(shù)

    • 型號(hào):

      2SK4116LS

    • 功能描述:

      MOSFET N-CH 400V 12A TO-220FI

    • RoHS:

    • 類(lèi)別:

      分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

    • 系列:

      -

    • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

      1,000

    • 系列:

      MESH OVERLAY™ FET

    • 型:

      MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

    • 特點(diǎn):

      邏輯電平門(mén)

    • 漏極至源極電壓(Vdss):

      200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

    • C:

      18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

    • C:

      180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

    • Vgs(th)(最大):

      4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

    • Vgs:

      72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

    • Vds:

      1560pF @ 25V 功率 -

    • 最大:

      40W

    • 安裝類(lèi)型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3 整包

    • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

      TO-220FP

    • 包裝:

      管件

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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    更多2SK4116LS供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 14:14:00

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