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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SK3569	文件：150.87 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI) Switching Regulator Applications ? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.54 ? (typ.) ? High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 8.5 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V) ? Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：150.87 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3569	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3569	文件：260.779 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 25V (Min) ? Complement to Type 2SB1119 ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? Designed for LF Amp Electronic Governor applications. 文件：260.779 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK3569	文件：236.53 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications 文件：236.53 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3569	文件：218.75 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：218.75 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3569	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國 / 馬來西亞 Drain current ID 10 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
2SK3569_06	文件：236.53 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications 文件：236.53 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3569_10	文件：218.75 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：218.75 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SK3569
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多2SK3569供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:10:00

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