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首頁 >2SK346>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SK346	文件：333.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK3461	文件：1.41358 Mbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 4.3 m? typ. ? 4 V gate drive device ? High speed switching 文件：1.41358 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3461L-E	文件：1.41358 Mbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 4.3 m? typ. ? 4 V gate drive device ? High speed switching 文件：1.41358 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3461-S	文件：254.66 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? Package with Low Thermal Resistance ? 100 % Rg and UIS Tested 文件：254.66 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
2SK3461STL-E	文件：1.41358 Mbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 4.3 m? typ. ? 4 V gate drive device ? High speed switching 文件：1.41358 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3462	文件：235.18 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications ? 4 V gate drive ? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 1.2 ?(typ.) ? High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 2.2 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS= 100 μA (VDS= 250 V) ? Enhancement mode: Vth= 1.5~3.5 文件：235.18 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3462	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3466	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3466	文件：215.73 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Chopper Regulator ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 ? (typ.) ? High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 4.0 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V) ? Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：215.73 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3467	文件：234.42 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK3467 is N-Channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. F 文件：234.42 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

技術(shù)參數(shù)

Product Category：
Power MOSFET (N-ch 150V＜VDSS≦250V)
Package name(Toshiba)：
New PW-Mold
Recommended Product 1：
TK8P25DA(Almost same package but similar characteristics)

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更多2SK346供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 19:10:00

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