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2SK3214-E	文件：1.01214 Mbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS = 130 m? typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：1.01214 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3214	文件：1.01214 Mbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS = 130 m? typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：1.01214 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3214	文件：333.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.4 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK3214	文件：27.43 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS =130m? typ. ? High speed switching ? 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：27.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SK3217	FUJI	24+	TO-220	1000		詢價
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