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2SK3149	文件：52.43 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS = 45 m? typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：52.43 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3149	文件：87.95 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS =45 m? typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.95 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3149	文件：333.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.65 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK3149	文件：949.58 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：949.58 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
2SK3149	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞薩	Renesas
2SK3149-E	文件：87.95 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS =45 m? typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.95 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SK3149	RENESAS/瑞薩	23+	TO-220	79999	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
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更多2SK3149供應(yīng)商更新時間2026-1-21 14:00:00