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2SK2397	文件：318.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：318.83 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK2397	文件：323.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.04 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK2397-01MR	文件：161.76 Kbytes Page：2 Pages	N-channel MOS-FET > Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier 文件：161.76 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK2397-01MR	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel MOS-FET	FUJI 富士通	FUJI

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