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2SK1880STL-E	文件：85.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? No secondary breakdown ? Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：85.43 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK1880STL-E	文件：1.08598 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08598 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
2SK1880	文件：44.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? No secondary breakdown ? Suitable for Switching regulator Application High speed power switching 文件：44.77 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1880	文件：85.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? No secondary breakdown ? Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：85.43 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK1880	文件：1.08591 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08591 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI

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更多2SK1880STL-E供應商更新時間2026-1-20 11:00:00