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2SK1807	文件：64.7 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Speed DESCRIPTION ·Drain Current ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 900V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·High Breakdown Voltage 文件：64.7 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK1807	文件：82.41 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET * Low on-resistance * High speed switching * Low drive current * No secondary breakdown * Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：82.41 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK1807	文件：32.82 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? Low drive current ? No secondary breakdown ? Suitable for switchingregulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：32.82 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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