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2SK1156-E	文件：83.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? Low drive current ? No secondary breakdown ? Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：83.11 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK1156	文件：305.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.41 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK1156	文件：83.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? Low drive current ? No secondary breakdown ? Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：83.11 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK1156	文件：49.53 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? Low drive current ? No secondary breakdown ? Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：49.53 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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