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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SJ479	文件：38.52 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 25 m? typ. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching 文件：38.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ479	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 25 m? typ. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching 文件：91.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ479	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ479L	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 25 m? typ. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching 文件：91.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ479L	文件：38.52 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 25 m? typ. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching 文件：38.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ479L-E	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 25 m? typ. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching 文件：91.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ479S	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 25 m? typ. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching 文件：91.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ479S	文件：38.52 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 25 m? typ. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching 文件：38.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ479STL-E	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on) = 25 m? typ. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching 文件：91.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ479(L)_15	文件：111.15 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：111.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

技術(shù)參數(shù)

封裝類型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道數(shù)：
Single
VDSS (V) 最大值：
-30
ID (A)：
-30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
60
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
35
Ciss (pF) 典型值：
1700
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
應(yīng)用：
Industrial
安裝類型：
Through Hole

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SJ479	Renesas(瑞薩)	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	7934	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
深圳市中飛凌科技有限公司	2SJ479	RENESAS	26+	TO-263	360000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SJ479	27000	24+		30000		詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	2SJ479	RENESAS	18+	TO-263	85600	保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	2SJ479	RENESAS	17+	TO-263	76	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳深宇韜電子科技有限公司	2SJ479	RENESAS	2023+	TO-263	8800	正品渠道現(xiàn)貨終端可提供BOM表配單。	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2SJ479	RENESAS	23+	TO-263	76	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司	2SJ479	RENESAS	25+	TO-263	8800	公司只做原裝,詳情請(qǐng)咨詢	詢價(jià)
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	2SJ479	RENESAS	24+	TO-263	16900	原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市盈慧通電子有限公司	2SJ479	RENESAS	2511	TO-263	76	電子元器件采購(gòu)降本30%!原廠直采,砍掉中間差價(jià)	詢價(jià)

更多2SJ479供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 23:00:00

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