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2SJ245	文件：39.44 Kbytes Page：7 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET SILICON P-CHANNEL MOS FET Features ? Low on–resistance ? High speed switching ? Low drive current ? 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source ? Suitable for Switching regulator, DC – DC converter Application High speed power switching 文件：39.44 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ245	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ245L	文件：39.44 Kbytes Page：7 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET SILICON P-CHANNEL MOS FET Features ? Low on–resistance ? High speed switching ? Low drive current ? 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source ? Suitable for Switching regulator, DC – DC converter Application High speed power switching 文件：39.44 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ245S	文件：39.44 Kbytes Page：7 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET SILICON P-CHANNEL MOS FET Features ? Low on–resistance ? High speed switching ? Low drive current ? 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source ? Suitable for Switching regulator, DC – DC converter Application High speed power switching 文件：39.44 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ245L	文件：976.54 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET 文件：976.54 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
2SJ245S	文件：989.26 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：989.26 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
2SJ245L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞薩	Renesas
2SJ245S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞薩	Renesas

技術(shù)參數(shù)

封裝類型：
DPAK(L)
Nch/Pch：
Pch
通道數(shù)：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
-5
應(yīng)用：
Industrial
安裝類型：
Through Hole

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SJ245	RENESAS/瑞薩	25+	TO-252	32000	RENESAS/瑞薩全新特價(jià)2SJ245即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
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深圳市振宏微科技有限公司	2SJ245	SMD	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
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