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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD669A	文件：36.07 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/A(PNP) 文件：36.07 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD669A	文件：63.21 Kbytes Page：1 Pages	N PN SILICON TRANSISTOR The main purpose For low-frequency power amplification. 文件：63.21 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
2SD669A	文件：414.34 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features ? Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ? Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating ? Moisure Sensitivity Level 1 ? Capable of 1 Watts of Power Dissipation. ? Collector-current 1.5A ? Collector-base Voltage 180V ? 文件：414.34 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MCC	MCC
2SD669A	文件：245.17 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistors NPN Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：245.17 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD669A	文件：1.30245 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SB649 / 2SB649A 文件：1.30245 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SD669A	文件：276.3 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB649/649A(PNP) ·High breakdown voltage VCEO:120/160V ·High current 1.5A ·Low saturation voltage,excellent hFElinearity APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：276.3 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD669A	文件：242.48 Kbytes Page：3 Pages	NPN Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 1mW（Tamb=25℃） Collector current ICM : 1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 180 V Collector-emitter voltage VCEO 2SD669 : 120 V 2SD669A : 160 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：242.48 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD669A	文件：211.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/A 文件：211.26 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KOOCHIN 灝展電子	KOOCHIN
2SD669A	文件：1.01103 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. Features Complementary pair with 2SB649(A). Applications Low frequency power amplifier. 文件：1.01103 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍(lán)箭電子	FOSHAN
2SD669A	文件：172.77 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) 文件：172.77 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

技術(shù)參數(shù)

Polarity：
NPN
PCM(W)：
1.5
IC(A)：
1.5
VCBO(V)：
180
VCEO(V)：
160
VEBO(V)：
5
hFEMin：
160
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)@IC(A)：
0.5
VCE(sat)@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-89-3L

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	2SD669A	CJ/長晶	2025+	TO126	3000	原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請找坤融電子!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SD669A	HIT	25+	TO-126	3500	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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更多2SD669A供應(yīng)商更新時間2026-1-18 16:36:00

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